各 汽车 制造商都计划于未来几年内将碳化硅电力电子器件用于主逆变器中。在充电基础设施方面，台达联手通用等合作开发，黑碳化硅价格，将碳化硅功率半导体器件应用于400kw的拆快读充电器中。在电驱动方面，海南黑碳化硅，cree联手，双方都已达成战略合作协议，促进使用基于碳化硅的逆变器开发电驱动动力总成。双方都已达成战略合作协议，促进使用基于碳化硅的逆变器开发电驱动动力总成。
碳化硅半导体产业链主要包括碳化硅高纯粉料、单晶衬底、外延片、功率器件、模块封装和终端应用等环节。
1.碳化硅高纯粉料
碳化硅高纯粉料是采用pvt法生长碳化硅单晶的原料，黑碳化硅供应商，其产品纯度直接影响碳化硅单晶的生长以及电学性能。碳化硅粉料有多种合成方式，主要有固相法、液相法和气相法3种。其中，固相法包括碳热还原法、自蔓延高温合成法和机械粉碎法;液相法包括溶胶-凝胶法和聚合物热分解法;气相法包括化学气相沉积法、等离子体法和激光---法等。
3、化学性能：耐腐蚀性非常强，室温下几乎可以抵抗任何已知的腐蚀剂。sic表面易氧化生成sio2薄层，能防止其进一步氧化，在高于1700℃时，这层氧化膜熔化并迅速发生氧化反应。
4、电学性能：4h-sic和6h-sic带隙约是si的3倍，是gaas的2倍；其击穿电场强度高于si一个数量级，饱和电子漂移速度是si的2.5倍。4h-sic的带隙比6h-sic更宽。下表为几种半导体材料特性比较。
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